收藏本站
PolarHV TM HiPerFET
Power MOSFET
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
IXFB 60N80P
V DSS = 800 V
I D25 = 60 A
R DS(on) ≤ 140 m ?
t rr ≤ 250 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
PLUS264 TM (IXFB)
V DSS
V DGR
V GSS
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M ?
Continuous
800
800
± 30
V
V
V
V GSM
I D25
Transient
T C = 25 ° C
± 40
60
V
A
G
D
S
(TAB)
I DM
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
150
30
100
5
20
A
A
mJ
J
V/ns
G = Gate
S = Source
Features
D = Drain
TAB = Drain
T J ≤ 150 ° C, R G = 2 ?
l
International standard packages
P D
T J
T JM
T stg
T C = 25 ° C
1250
-55 ... +150
150
-55 ... +150
W
° C
° C
° C
l
l
l
Fast recovery diode
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
T L
T SOLD
F C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
Plastic body for 10 s
Mounting force
300
260
30..120/7.5...2.7
° C
° C
N/lb
Advantages
Weight
10
g
l
l
Plus 264 TM package for clip or spring
Space savings
l
High power density
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
BV DSS
V GS = 0 V, I D = 3 mA
800
V
V GS(th)
I GSS
I DSS
V DS = V GS , I D = 8 mA
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
T J = 125 ° C
3.0
5.0
± 200
25
3000
V
nA
μ A
μ A
R DS(on)
V GS = 10 V, I D = 0.5 I D25 , Note 1
140
m ?
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99560E(02/06)
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFB62N80Q3 MOSFET N-CH 800V 62A PLUS264
IXFB70N60Q2 MOSFET N-CH 600V 70A PLUS264
IXFB72N55Q2 MOSFET N-CH 550V 72A PLUS264
IXFB80N50Q2 MOSFET N-CH 500V 80A PLUS264
IXFB82N60P MOSFET N-CH 600V 82A PLUS 264
IXFB82N60Q3 MOSFET N-CH 600V 82A PLUS264
IXFC110N10P MOSFET N-CH 100V 60A ISOPLUS220
IXFC13N50 MOSFET N-CH 500V 12A ISOPLUS220
相关代理商/技术参数
IXFB62N80Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 800V/62A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB70N60Q2 功能描述:MOSFET 70 Amps 600V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB72N55Q2 功能描述:MOSFET 72 Amps 550V 0.07 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB80N50Q2 功能描述:MOSFET 80 Amps 500V 0.06 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB80N50Q2_07 制造商:IXYS 制造商全称:IXYS Corporation 功能描述:HiPerFET Power MOSFETs
IXFB82N60P 功能描述:MOSFET 82 Amps 600V 0.75 Ohm Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFB82N60Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 600V/82A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFC10N80P 功能描述:MOSFET 5 Amps 800V 1.2 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube